検索結果 6 件

小泉 弘, 嶋屋 正一, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (652), 61-67, 1999-03-10

...完全空乏型 SOI-MOSFET の埋め込み酸化膜に電界を印加するバックサイドバイアス・温度(BSBT)処理により、基板浮遊に伴う寄生バイボーラ効果が抑制されることを見出した。寄生バイポーラ効果の抑制により、しきい値電圧とドレイン耐圧の異常低下や、ホットキャリア劣化のうちSOI-MOSFETに特有なモードが著しく軽減する。...

参考文献10件

原田 充, 道関 隆国, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (571), 53-58, 1997-03-14

...スイッチトランジスタに、ゲート入力がボディにも印可される構造の可変閾値MOSFETを用いることにより,従来型のスイッチに比べ閾値電圧ばらつきが抑制されることがわかった。製造工程におけるばらつきだけでなく、電源電庄変動に起因したばらつきにも強い。閾値電圧ばらつきが抑制された結果、低電圧領域におけるゲート遅延時間のばらつきが抑制されることがわかった。...

参考文献5件

土屋 敏章, 大野 晃計, 田沢 聰, 富沢 雅彰 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (63), 53-59, 1996-05-23

...さらに、MOSFET/SOI特有のホットキャリア劣化モードの抑制対策に対しても、この寄生バイポーラ効果抑制策が有効であり、ホットキャリア信頼性の向上が可能なことを示す。...

参考文献9件

佐藤 康博, 大野 晃計, 土屋 敏章, 小杉 敏彦, 石井 仁 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (570), 23-29, 1996-03-11

...温度をパラメータとした測定をおこない、100℃においてもW層による寄生バイポーラ効果の抑制が有効であることを示した。...

参考文献4件

大野, 高橋 光俊, 大高 明浩, 榊原 裕, 土屋 敏章 1996年電子情報通信学会総合大会予稿集 286-287, 1996

...しかしこのデバイスでLSIを実現するにはまだ解決すべき問題点が残されており、そのひとつがボディ・コンタクトを有しないnMOSFETで生じる寄生バイポーラ効果を如何に抑制するかである。この問題を解決するために、ソース領域の材質及び構造に工夫を凝らす方法がいくつか提案されているが、いずれの場合にもLSI試作に適用してその有用性を確認するには至っていない。...

被引用文献4件

門 勇一, 猪川 洋, 西村 和好, 岡崎 幸夫, 大野 晃計, 土屋 敏章, 井野 正行, 武谷 健, 酒井 徹志 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1995 (2), 125-, 1995-09-05

...特に、素子の接合容量の低減、急峻なサブスレッショルドスロープ、寄生バイポーラ効果の抑制等の観点から、FD-SOI素子は低電圧領域でその真価を発揮すると考えられる。今回、同じマスクセットを用いて1/4-ミクロン級のFD型CMOS/SIMOXゲート・アレイとバルクCMOSゲート・アレイを試作し、搭載した負荷付き論理ゲート遅延要因と各種寄生容量の電源電圧依存性を比較した。...