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羽田野 剛司, 野村 明弘, 吉田 昌義, 中島 安理, 芝原 健太郎, 横山 新 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 15-19, 1998-04-23

...このトランジスタはLDD (Lightly Doped Drain) MOSトランジスタ構造をわずかに変化させ、かつ二つのゲートを持つ構造である。2つのゲート電圧を制御することにより、サイドウォールスペーサ下部に障壁が形成される。このトランジスタが室温で動作可能となるためには、トンネル電流が熱励起電流より十分大きくなる障壁の形成が必要である。...

参考文献8件

中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 9-14, 1998-04-23

...これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。...

参考文献5件

羽田野 剛司, 野村 明弘, 吉田 昌義, 中島 安理, 芝原 健太郎, 横田 新 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (30), 15-19, 1998-04-23

...このトランジスタはLDD(Lightly Doped Drain)MOSトランジスタ構造をわずかに変化され、かつ二つのゲートを持つ構造である。2つのゲート電圧を制御することにより、サイドウォールスペーサ下部に障壁が形成される。このトランジスタが室温で動作可能となるためには、トンネル電流が熱励起電流より十分大きくなる障壁の形成が必要である。...

参考文献8件

中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (30), 9-14, 1998-04-23

...これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。...

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湯上 浩雄, 中島 安理, 石亀 希男, 末元 徹 秋の分科会予稿集 1989.2 (0), 213-, 1989

DOI