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検索結果 26 件

  • 多分岐管内の気液二相分配に関する実験的研究

    ズラズマン ラズラン, 五島 宏明, 滝口 浩司, 土屋 敏章, 安嶋 賢哲, 廣田 真史, 岡本 元秀, 北出 雄二郎, 丸山 直樹, 西村 顕 日本伝熱シンポジウム講演論文集 2011 (0), 313-313, 2011

    ...コンパクトエバポレータを模擬した多分岐管内の気液二相流において,ヘッダから分岐管への気液分配特性を実験的に調査した.まず,冷媒R-134aを用いて可視化実験を行い,ヘッダ内の流動状況や分岐管への気液分配状態を調べた.次に,空気-水二相流において,ヘッダ入口における空気と水の流量条件を系統的に変化させ,流れを観察することで冷媒二相流を模擬できる流入条件を検討した.また各流入条件において分岐管における気液分配率...

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  • ナノスケール MOS デバイスにおける界面物性の揺らぎ

    土屋 敏章 応用物理 78 (9), 868-872, 2009-09-10

    ...<p>MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)における Random Telegraph Signal と 1/f 雑音およびチャージポンピング(CP)特性の物理的背景について概説し,ナノスケール MOSFET における界面物性揺らぎに関する著者らの最近の研究を紹介する.デバイス特性への界面物性揺らぎの影響を把握するためには...

    DOI Web Site 参考文献25件

  • バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善

    小泉 弘, 嶋屋 正一, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (652), 61-67, 1999-03-10

    完全空乏型 SOI-MOSFET の埋め込み酸化膜に電界を印加するバックサイドバイアス・温度(BSBT)処理により、基板浮遊に伴う寄生バイボーラ効果が抑制されることを見出した。寄生バイポーラ効果の抑制により、しきい値電圧とドレイン耐圧の異常低下や、ホットキャリア劣化のうちSOI-MOSFETに特有なモードが著しく軽減する。BSBT処理ではゲート酸化膜に電界ストレスが印加されないため、相互コンダク…

    参考文献10件

  • 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性

    門 勇一, 猪川 洋, 土屋 敏章, 河合 羲夫, 佐藤 政明, 榊原 裕, 中嶋 定夫, 山田 宏, 北村 守, 中山 諭, 西村 和好, 伊達 滋, 井野 正行, 竹谷 健, 酒井 徹志 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996 (2), 282-283, 1996-03-11

    ...これらの問題を明らかにするため、0.25μm・完全空乏型CMOS/SIMOXとバルクCMOSプロセスを用いてゲートアレイを試作し、ゲートアレイ上に搭載した48ビット・乗算器と13kビット・SRAMの諸特性を比較した。...

  • ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性

    佐藤 康博, 土屋 敏章, 小杉 敏彦, 石井 仁 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996 (2), 288-289, 1996-03-11

    ...ソース/ドレイン上のW層の堆積により、デバイス特性の劣化を生じることなく、NMOS、PMOSともにソース/ドレインのシート抵抗を低減できる。さらに、NMOSにおいてはソース/ドレイン上にW層を堆積することにより、寄生バイポーラ効果が低減できることを明らかにした。...

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