検索結果 5 件

河本 直哉, 伊藤 望美, 上田 政洋, 三好 正毅 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 3900-3900, 2010-03-03

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牧寺 佑介, 加嶋 信哉, 河村 貴志, 三好 正毅 日本物理学会講演概要集 57.1.4 (0), 674-, 2002

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三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

...0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流にSiの多谷構造による縮退効果を考慮することにより、実験知をほぼ再現することができた。...

参考文献5件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si上に形成された極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した...

参考文献20件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

...即ち、凹凸多結晶Siをもつキャパシターの漏洩電流がSTCとの容量面積比率以上増加する現象を説明できる。...

参考文献16件