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土屋 敏章 応用物理 78 (9), 868-872, 2009-09-10
...<p>MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors）における Random Telegraph Signal と 1/f 雑音およびチャージポンピング（CP）特性の物理的背景について概説し，ナノスケール MOSFET における界面物性揺らぎに関する著者らの最近の研究を紹介する．デバイス特性への界面物性揺らぎの影響を把握するためには...
DOI Web Site 参考文献25件