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中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 9-14, 1998-04-23
...これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。...
参考文献5件
中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (30), 9-14, 1998-04-23
中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏 電子情報通信学会論文誌. C-1, エレクトロニクス. 1, 光・波動 = he Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-1 / 電子情報通信学会 編 81 (2), 110-111, 1998-02
Web Site 参考文献3件
中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 81 (2), 274-275, 1998-02