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三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流…

参考文献5件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 80 (1), 23-30, 1997-01

Web Site 被引用文献3件 参考文献20件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si上に形成された極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した...

参考文献20件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

...この現象を、隣接するグレイン間に形成されるプレート電極エッジ部分において電界集中を生じ、それが直接トンネリングを誘起すると仮定して理論解析をした。更に、キャパシター内のプレート電極エッジの曲率半径に正規分布を仮定して、漏洩電流を計算し、実測値と比較・検討を行った。...

参考文献16件