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松尾 直人, 三浦 隆司, 浜田 弘喜, 中田 真一, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (193), 25-30, 1998-07-23

...薄い誘電体膜をチャネル両端に持つ, Si共鳴トンネルMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOST:SIRTMOST)の特性を調べる.チャネル内電位と電界, 相互コンダクタンス(gm), サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する.gmとS値に関して, 非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い, 従来型MOSTとの対比を行う.又, チャネル...

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松尾 直人, 三浦 隆司, 浜田 弘喜, 中田 真一, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 98 (195), 25-30, 1998-07-23

...チャネル内電位と電界、相互コンダクタンス(gm)、サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する。gmとS値に関して、非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い、従来型MOSTとの対比を行う。又、チャネル両端のダブルバリアにより、従来型MOSTの物理的限界を延長できることを示す。...

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si上に形成された極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した...

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

...更に、キャパシター内のプレート電極エッジの曲率半径に正規分布を仮定して、漏洩電流を計算し、実測値と比較・検討を行った。有効質量を0.2m0、電界集中係数を1.2と仮定した場合、計算より求められた漏洩電流の増加率は、印加電圧が-2.0Vから-3.0Vの範囲で実測値にほぼ一致する。即ち、凹凸多結晶Siをもつキャパシターの漏洩電流がSTCとの容量面積比率以上増加する現象を説明できる。...

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