中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
98
(30),
9-14,
1998-04-23
...低エネルギーイオン注入により一定の深さのみに一定のドーズ量を実現できた事と遷移領域近傍の歪の影響が、形成された金属ナノクリスタルのサイズと位置の均一性に寄与していると考えられる。これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。...
参考文献5件