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松尾 直人, 三浦 隆司, 浦上 有紀, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

...極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。...

参考文献5件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会論文誌. C-1, エレクトロニクス. 1, 光・波動 = he Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-1 / 電子情報通信学会 編 80 (7), 354-356, 1997-07

Web Site 参考文献4件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した.多結晶Siの様に,フェルミエネルギーの小さい電極を用いる場合において,その効果を考慮する必要のある事が解った.第2に,シュレーディンガー方程式の数値解法により,電界集中下における波動関数...

参考文献20件