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三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

...p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。...

参考文献5件

松尾 直人, 三浦 隆司, 浦上 有紀, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

...更に、求められた理論式を極薄酸化・窒化・酸化(oxide-nitride-oxide:ONO)複合膜、極薄熱酸化膜の実測漏れ電流・印加電圧特性の低電圧領域にフィティングさせ、その妥当性を検討する。...

参考文献5件

林 利彦, 山本 節夫, 栗巣 普揮, 松浦 滿 電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 97 (92), 41-46, 1997-06-13

...誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ装置では、高周波によるプラズマ生成と、ターゲットに印可した直流によるスパッタ成膜とが機能分離できているために、通常のマグネトロンスパッタ法ではプラズマの維持が不可能な低いターゲット電圧領域においてもCo-Cr薄膜の作成が可能なことが明らかになった。ICPを用いることで、通常のマグネトロンスパッタ法のみの場合よりも、高い成膜速度が実現できた。...

被引用文献2件 参考文献3件

林 利彦, 山本 節夫, 栗巣 普揮, 松浦 満 映像情報メディア学会技術報告 21.37 (0), 41-46, 1997

...誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ装置では、高周波によるプラズマ生成と、ターゲットに印可した直流によるスパッタ成膜とが機能分離できているために、通常のマグネトロンスパッタ法ではプラズマの維持が不可能な低いターゲット電圧領域においてもCo-Cr薄膜の作成が可能なことが明らかになった。ICPを用いることで、通常のマグネトロンスパッタ法のみの場合よりも、高い成膜速度が実現できた。...

DOI 参考文献3件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

減圧化学気相蒸着法により、不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si蓄積電極を作製し、その上に酸化・窒化・酸化複合膜、多結晶Siプレート電極を形成し、電流・電圧特性を調べた。漏洩電流が、プレート電極負電圧印加で、平板型のSTCと比較して、容量面積の比率以上に増加する。この現象を、隣接するグレイン間に形成されるプレート電極エッジ部分において電界集中を生じ、それが直接トンネリングを誘起すると仮定して理論解析…

参考文献16件