検索結果 11 件

土屋 敏章 応用物理 78 (9), 868-872, 2009-09-10

...における Random Telegraph Signal と 1/f 雑音およびチャージポンピング（CP）特性の物理的背景について概説し，ナノスケール MOSFET における界面物性揺らぎに関する著者らの最近の研究を紹介する．デバイス特性への界面物性揺らぎの影響を把握するためには，バンドギャップ内に存在する全トラップの電気的振る舞いを知る必要がある．本稿では，CP 特性に個々のデバイス固有の反転（蓄積）電圧印加時間依存性...

DOI Web Site 参考文献25件

小泉 弘, 嶋屋 正一, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (652), 61-67, 1999-03-10

...寄生バイポーラ効果の抑制により、しきい値電圧とドレイン耐圧の異常低下や、ホットキャリア劣化のうちSOI-MOSFETに特有なモードが著しく軽減する。BSBT処理ではゲート酸化膜に電界ストレスが印加されないため、相互コンダクタンスや飽和ドレイン電流などの劣化は生じない。...

参考文献10件

原田 充, 道関 隆国, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (571), 53-58, 1997-03-14

...閾値電圧ばらつきが抑制された結果、低電圧領域におけるゲート遅延時間のばらつきが抑制されることがわかった。...

参考文献5件

道関 隆国, 原田 充, 土屋 敏章 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1997 (2), 161-, 1997-03-06

...0.5 V以下の極低電圧論理回路として, MT (Multi-Threshold) CMOS回路とSIMOX技術を組合せたMTCMOS/SIMOX回路を提案した。今回, 上記回路の動作マージン評価として, 温度変動が回路性能に及ぼす影響を評価したので報告する。...

道関 隆国, 原田 充, 土屋 敏章 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1996 (2), 176-, 1996-09-18

...0.5V動作可能な超低電圧回路技術として、MT(Multi-Threshold)CMOS回路とSIMOX技術を組合せたMTCMOS/SIMOX回路を提案した。今回、0.25μmMTCMOS/SIMOX技術により、本回路技術の有効性を明確にしたので報告する。...

道関 隆国, 重松 智志, 田辺 泰之, 原田 充, 猪川 洋, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (151), 41-46, 1996-07-18

...木回路構成を用いることにより、リーク電流の急激な上昇なく0.4Vまでの低電圧動作が可能となることを示す。本回路の有効性を確めるために0.25μmMTCMOS/SIMOX技術で設計、試作した、ゲート遅延TEG、および0.5V、40MHz動作16ビットALUの評価結果を述べる。...

参考文献9件

門 勇一, 猪川 洋, 土屋 敏章, 河合 羲夫, 佐藤 政明, 榊原 裕, 中嶋 定夫, 山田 宏, 北村 守, 中山 諭, 西村 和好, 伊達 滋, 井野 正行, 竹谷 健, 酒井 徹志 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996 (2), 282-283, 1996-03-11

...CMOS・LSIでは低電源電圧化が最も効果的な低消費電力化になるため、微細化と伴に、2Vから更に1Vへと電源電圧の低下が進んでいる。こうした状況の中で、急峻なサブスレッショルドスイングを有し、低寄生容量の完全空乏型SOI素子が注目されている。一方、完全空乏型SOI素子をLSIに応用する際、各素子の閾値電圧(Vth)およびLSIのスタンバイリ-ク電流の制御性が懸念されている。...

門 勇一, 猪川 洋, 西村 和好, 岡崎 幸夫, 大野 晃計, 土屋 敏章, 井野 正行, 武谷 健, 酒井 徹志 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1995 (2), 125-, 1995-09-05

...完全空乏型SOI素子(FD-SOI素子)技術は低電圧・低消費電力LSIの本命技術の一つとして注目されている。特に、素子の接合容量の低減、急峻なサブスレッショルドスロープ、寄生バイポーラ効果の抑制等の観点から、FD-SOI素子は低電圧領域でその真価を発揮すると考えられる。...

安田 禎之, 大友 祐輔, 井野 正行, 門 勇一, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 95 (72), 23-30, 1995-05-26

...0.25μmSIMOXプロセスを用いて試作、評価の結果、電源電圧2.2Vに於いてMUX回路が2.98GHz、DEMUX回路が4.55GHzで動作可能であることを確認した。...

被引用文献4件 参考文献5件

門 勇一, 大野 晃計, 土屋 敏章 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1995 (2), 151-, 1995-03-27

...完全空乏型SOI素子技術は低電圧・低消費電力LSIの本命技術の一つとして注目されている。一方、フローティングボディ効果については、特にそのダイナミック特性の観点から現象のメカニズムを解析する必要性が問われている。我々はボディコンタクトが無い状態で完全空乏型素子が部分空乏型素子に比べ安定なダイナミック特性を示す事を報告している。...

土屋 敏章 応用物理 60 (11), 1099-1106, 1991

...ULSI信頼性上の大きな問題として,ゲート酸化膜中に注入されたホットキャリアによるMOS FET特性の劣化現象が上げられる.この現象は局所的で複雑であるが,劣化を引き起こしているキャリアタイプは何か(電子か正孔か),ホット電子注入やホット正孔注入でおのおの何が起こるのかを整理することによって,劣化機構を解説する,特に,最近明らかになりつつある交流ストレス(電圧印加)による劣化機構を中心に解説する.また...

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