検索結果 13 件

三好 正毅, 右田 耕人, 金田 昭久 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 345-345, 2010-03-03

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松尾 直人, 浜田 弘喜, 綾 洋一郎, 納田 朋幸, 三好 正毅 真空 42 (8), 741-748, 1999

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三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流…

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松尾 直人, 三浦 隆司, 浜田 弘喜, 中田 真一, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (193), 25-30, 1998-07-23

薄い誘電体膜をチャネル両端に持つ, Si共鳴トンネルMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOST:SIRTMOST)の特性を調べる.チャネル内電位と電界, 相互コンダクタンス(gm), サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する.gmとS値に関して, 非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い, 従来型MOSTとの対比を行う.又, …

参考文献10件

松尾 直人, 三浦 隆司, 浜田 弘喜, 中田 真一, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 98 (195), 25-30, 1998-07-23

薄い誘電体膜をチャネル両端に持つ、Si共鳴トンネルMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOST:SIRTMOST)の特性を調べる。チャネル内電位と電界、相互コンダクタンス(gm)、サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する。gmとS値に関して、非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い、従来型MOSTとの対比を行う。又、チャネル両端の…

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松尾 直人, 三浦 隆司, 浦上 有紀, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

...極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。...

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会論文誌. C-1, エレクトロニクス. 1, 光・波動 = he Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-1 / 電子情報通信学会 編 80 (7), 354-356, 1997-07

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 80 (7), 242-244, 1997-07

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松尾 直人, 三好 正毅 真空 40 (10), 773-779, 1997

The purpose of this paper is to investigate both the orientation dependence of the adsorption of organic carbons on the Si surface in the water and the relationship between carbon adsorption and …

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 80 (1), 23-30, 1997-01

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si上に形成された極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一…

参考文献20件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

減圧化学気相蒸着法により、不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si蓄積電極を作製し、その上に酸化・窒化・酸化複合膜、多結晶Siプレート電極を形成し、電流・電圧特性を調べた。漏洩電流が、プレート電極負電圧印加で、平板型のSTCと比較して、容量面積の比率以上に増加する。この現象を、隣接するグレイン間に形成されるプレート電極エッジ部分において電界集中を生じ、それが直接トンネリングを誘起すると仮定して理論解析…

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三好 正毅 日本物理学会誌 44 (11), 855-856, 1989-11-05

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