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三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

...p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。...

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松尾 直人, 三浦 隆司, 浦上 有紀, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

...極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。...

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した.多結晶Siの様に,フェルミエネルギーの小さい電極...

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

...減圧化学気相蒸着法により、不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si蓄積電極を作製し、その上に酸化・窒化・酸化複合膜、多結晶Siプレート電極を形成し、電流・電圧特性を調べた。漏洩電流が、プレート電極負電圧印加で、平板型のSTCと比較して、容量面積の比率以上に増加する。...

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