検索結果を絞り込む

検索結果 6 件

  • 1 / 1

  • 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導

    羽田野 剛司, 野村 明弘, 吉田 昌義, 中島 安理, 芝原 健太郎, 横山 新 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 15-19, 1998-04-23

    ...熱励起電流をトンネル電流より小さくするためには、基板濃度を高くすることが有効であることがわかった。...

    参考文献8件

  • 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測

    中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 9-14, 1998-04-23

    ...これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。...

    参考文献5件

  • 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導

    羽田野 剛司, 野村 明弘, 吉田 昌義, 中島 安理, 芝原 健太郎, 横田 新 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (30), 15-19, 1998-04-23

    ...熱励起電流をトンネル電流より小さくするためには、基板濃度を高くすることが有効であることがわかった。...

    参考文献8件

  • 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測

    中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (30), 9-14, 1998-04-23

    ...これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。...

    参考文献5件

  • 1 / 1
ページトップへ