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表紙
本文:
CiNii
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目次
本文:
CiNii
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MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性
本文:
CiNii
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1-5
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ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果
本文:
CiNii
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7-13
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エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布
本文:
CiNii
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15-22
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ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング
本文:
CiNii
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23-30
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ハーモニックモードロックErドープファイバリングレーザの安定化
本文:
CiNii
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31-36
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GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製
本文:
CiNii
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37-42
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HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化
本文:
CiNii
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43-50
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GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
本文:
CiNii
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51-56
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Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
本文:
CiNii
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57-62
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LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
本文:
CiNii
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63-68
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Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
本文:
CiNii
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69-76
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液相成長Al_xGa_<1-x>Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
本文:
CiNii
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77-82
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金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
本文:
CiNii
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83-90
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[OTHERS]
本文:
CiNii
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