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表紙
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CiNii
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目次
本文:
CiNii
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電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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1-6
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a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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7-10
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エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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11-14
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自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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15-20
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3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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21-26
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水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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27-31
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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33-38
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アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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39-43
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RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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45-48
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Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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49-54
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BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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55-58
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MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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59-62
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(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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63-66
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グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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67-70
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MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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71-75
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β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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77-81
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X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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83-87
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AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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89-93
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表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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95-98
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III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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99-104
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窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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105-110
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ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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111-116
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反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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117-121
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AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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123-126
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AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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127-130
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MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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131-134
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Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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135-138
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TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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139-143
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スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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145-149
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高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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151-155
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ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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157-162
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非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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163-167
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窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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169-173
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GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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175-178
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GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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179-183
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原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
本文:
CiNii
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185-190
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複写される方へ
本文:
CiNii
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Notice for Photocopying
本文:
CiNii
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奥付
本文:
CiNii
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裏表紙
本文:
CiNii
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