検索結果2件中 1-2 を表示

  • 忍田 真希子 ID: 9000006001551

    日本電気 (2007年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 4件

    • SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御 (2007)
    • Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つ Sub-10-nm CMOS デバイス (2006)
    • SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御 (2007)
  • 忍田 真希子 ID: 9000283809369

    NEC システムデバイス研究所 (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • HfSiON 及びSiO<sub>2</sub> ゲート絶縁膜上のNi フルシリサイドメタルゲート電極(キーノートスピーチ) (2006)
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