検索結果12件中 1-12 を表示

  • 満原 学 ID: 9000404508304

    NTTフォトニクス研究所 (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2<i>μ</i>m 波長帯半導体レーザー (2008)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000401775052

    CiNii収録論文: 1件

    • InP/InGaAs Heterojunction Phototransistor Operating at Wavelengths above 2 µm Realized Using Strained InAs/InGaAs Multiquantum Well Absorption Layer (2008)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000401803874

    CiNii収録論文: 1件

    • Responsivity Characteristics of InP/InGaAs Heterojunction Phototransistor with a Strained InAs/InGaAs Multiquantum Well Absorption Layer in the Base or Collector (2012)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000401986712

    CiNii収録論文: 1件

    • Ultrahigh-QMicromechanical Resonators by Using Epitaxially Induced Tensile Strain in GaNAs (2013)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000402004736

    CiNii収録論文: 1件

    • Responsivity Characteristics of InP/InGaAs Heterojunction Phototransistor with a Strained InAs/InGaAs Multiquantum Well Absorption Layer in the Base or Collector (2012)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000402026508

    CiNii収録論文: 1件

    • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell (2014)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000025044840

    CiNii収録論文: 1件

    • InP/InGaAs heterojunction phototransistor operating at wavelengths above 2μm realized using strained InAs/InGaAs multiquantum well absorption layer (2008)
  • Mitsuhara Manabu ID: 9000241877762

    CiNii収録論文: 1件

    • Ultrahigh-Q Micromechanical Resonators by Using Epitaxially Induced Tensile Strain in GaNAs (2013)
  • 満原 学 ID: 9000004778503

    日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所 (2014年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 20件

    • InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザー (2008)
    • 光ガスセンサに向けた波長2.3μmの分布帰還型半導体レーザ (特集 センシング用レーザ光源技術) (2009)
    • 歪補償InAsP-MQWのMOMBE成長と臨界膜厚の解析 (1995)
  • 満原 学 ID: 9000107364041

    日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ (2008)
  • 満原 学 ID: 9000107364340

    日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ (2008)
  • 満原 学 ID: 9000284629967

    日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所 (2014年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 5件

    • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子部品・材料) (2013)
    • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子デバイス) (2013)
    • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (レーザ・量子エレクトロニクス) (2013)
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