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  • OKIGAWA Mitsuru ID: 9000006483940

    Sanyo Electric Co., Ltd. (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 4件

    • Effects of Thermal Annealing for Restoration of UV Irradiation Damage during Plasma Etching Processes (2006)
    • Control of UV Radiation Damages for the High Sensitive CCD Image Sensor (2004)
    • Effects of CF_3I Plasma for Reducing UV Irradiation Damage in Dielectric Film Etching Processes (2006)
  • OKIGAWA Mitsuru ID: 9000107306857

    Institute of Fluid Science, Tohoku University (2003年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Plasma-Radiation-Induced Interface States in Metal-Nitride-Oxide-Silicon Structure of Charge Coupled Device Image Sensor and Their Reduction Using Pulse-Time-Modulated Plasma (2003)
  • OKIGAWA Mitsuru ID: 9000107345983

    Plasma Technology Laboratory, Association of Super-advanced Electronics Technologies(ASET) (1998年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Mechanism of Radical Control in Capacitive RF Plasma for ULSI Processing (1998)
  • OKIGAWA Mitsuru ID: 9000107346102

    Plasma Technology Laboratory, Association of Super-Advanced Electronics Technologies(ASET) (1998年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Monitoring of Electron Energy Distribution Change from Optical Emission for Nonmagnetic Ultrahigh-Frequency Plasma (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000258141299

    Plasma Technology Laboratory, Association of Super–Advanced Electronics Technologies (ASET), 292 Yoshida–cho, Totsuka, Yokohama, Kanagawa 244–0817, Japan (1998年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Monitoring of Electron Energy Distribution Change from Optical Emission for Nonmagnetic Ultrahigh-Frequency Plasma. (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000258141558

    Plasma Technology Laboratory, Association of Super–advanced Electronics Technologies (ASET), 292 Yoshida–cho, Totsuka–ku, Yokohama, Kanagawa 244, Japan (1998年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Mechanism of Radical Control in Capacitive RF Plasma for ULSI Processing. (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000258155035

    Sanyo Electric Co., Ltd., Semiconductor Company, System LSI Division, CCD Development, 180 Ohmori, Anpachi-cho, Anpachi-gun, Gifu 503-0195, Japan (2001年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • On-Wafer Monitoring of Vacuum-Ultraviolet Radiation Damage in High-Density Plasma Processes. (2001)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000258158451

    Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama 244-0817, Japan (2002年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • CF and CF2 Radical Densities in 13.56-MHz CHF3/Ar Inductively Coupled Plasma. (2002)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000258166489

    Institute of Fluid Science, Tohoku University|CCD Development Department, Semiconductor Company Hyper Device Division, Sanyo Electric Co., Ltd. (2003年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Plasma-Radiation-Induced Interface States in Metal-Nitride-Oxide-Silicon Structure of Charge-Coupled Device Image Sensor and Their Reduction Using Pulse-Time-Modulated Plasma (2003)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401671819

    CiNii収録論文: 1件

    • Mechanism of Radical Control in Capacitive RF Plasma for ULSI Processing (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401671825

    CiNii収録論文: 1件

    • Monitoring of Electron Energy Distribution Change from Optical Emission for Nonmagnetic Ultrahigh-Frequency Plasma (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401675899

    CiNii収録論文: 1件

    • Plasma-Wall Interactions in Dual Frequency Narrow-Gap Reactive Ion Etching System (1998)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401703034

    CiNii収録論文: 1件

    • On-Wafer Monitoring of Vacuum-Ultraviolet Radiation Damage in High-Density Plasma Processes (2001)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401706916

    CiNii収録論文: 1件

    • CF and CF2Radical Densities in 13.56-MHz CHF3/Ar Inductively Coupled Plasma (2002)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000401715540

    CiNii収録論文: 1件

    • Plasma-Radiation-Induced Interface States in Metal-Nitride-Oxide-Silicon Structure of Charge-Coupled Device Image Sensor and Their Reduction Using Pulse-Time-Modulated Plasma (2003)
  • Okigawa Mitsuru ID: 9000005723516

    Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET):(Present address)System LSI Division CCD Development Department, SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Company (2002年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 2件

    • Plasma-Wall Interactions In Dual Freguency Narrow-Gap Reactive Ion Etching System (1998)
    • CF and CF_2 Radical Densities in 13.56-MHz CHF_3/Ar Inductively Coupled Plasma (2002)
  • 沖川 満 ID: 9000001252946

    東北大学流体科学研究所 (2004年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 2件

    • 固体撮像素子のための低損傷プラズマプロセス : パルス時間変調プラズマとガス種選択による紫外線誘起損傷の低減 (2004)
    • 固体撮像素子のための低損傷プラズマプロセス (特集2 CCDとCMOSセンサ) (2004)
  • 沖川 満 ID: 9000001260692

    三洋電機(株)部品デバイスグループ 半導体カンパニーCCDビジネスユニット (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 3件

    • 携帯電話向け1/4.5型100万画素FT-CCDカメラモジュールの開発 (2004)
    • 携帯電話搭載カメラ"CCD/CMOSカメラ, カメラ画像処理" (2006)
    • モザイクカラ-フィルタを用いたフレ-ムトランスファ方式CCDイメ-ジセンサ (オプトデバイス特集) (1991)
  • 沖川 満 ID: 9000005463597

    技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室 (1998年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 2件

    • 超先端電子技術開発機構におけるレーザー計測法によるエッチングプラズマ中の解離化学種解析 (1998)
    • プロセス用の新しい高密度プラズマの生成と診断I 1. UHF帯ECRプラズマ (1997)
  • 沖川 満 ID: 9000257778861

    三洋電機(株)部品デバイスグループ 半導体カンパニー CCDビジネスユニット (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 携帯電話搭載カメラ“CCD/CMOSカメラ,カメラ画像処理” (2006)
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