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  • SHINOYAMA Seiji ID: 9000005534729

    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1980年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Growth of Dislocation-Free Undoped InP Crystals (1980)
  • SHINOYAMA Seiji ID: 9000005732371

    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1979年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • In-Depth Distribution of Stacking Faults in Thermally-Oxidized Czochralski Silicon Wafers (1979)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252755523

    The Electrical Comminucation Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1974年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Gigantic Helical Dislocations in Czochralski-Grown Gd<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5</SUB>O<SUB>12</SUB> Single Crystal (1974)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252756406

    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1979年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • In-depth distribution of stacking faults in thermally-oxidized Czochralski silicon wafers. (1979)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252758485

    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1984年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Isoelectronic Double Doping Effect on Dislocation Density of InP Single Crystal (1984)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252948006

    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation (1980年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Growth of dislocation-free undoped InP crystals. (1980)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252969859

    R & D Laboratories I, Nippon Steel Corporation (1989年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Formation Process of Stacking Faults with Ringlike Distribution in CZ–Si Wafers (1989)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000252983557

    Electronics Research Laboratories, Nippon Steel Corporation (1992年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Application of Copper-Decoration Method to Characterize As-Grown Czochralski-Silicon (1992)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000392679627

    CiNii収録論文: 1件

    • Gigantic Helical Dislocations in Czochralski-Grown Gd<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5</SUB>O<SUB>12</SUB> Single Crystal (1974)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000392690967

    CiNii収録論文: 1件

    • Isoelectronic Double Doping Effect on Dislocation Density of InP Single Crystal (1984)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000392704802

    CiNii収録論文: 1件

    • Formation Process of Stacking Faults with Ringlike Distribution in CZ–Si Wafers (1989)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000392723953

    CiNii収録論文: 1件

    • Application of Copper-Decoration Method to Characterize As-Grown Czochralski-Silicon (1992)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401578634

    CiNii収録論文: 1件

    • Gigantic Helical Dislocations in Czochralski-Grown Gd3Ga5O12Single Crystal (1974)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401584938

    CiNii収録論文: 1件

    • In-Depth Distribution of Stacking Faults in Thermally-Oxidized Czochralski Silicon Wafers (1979)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401587065

    CiNii収録論文: 1件

    • Growth of Dislocation-Free Undoped InP Crystals (1980)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401596281

    CiNii収録論文: 1件

    • Isoelectronic Double Doping Effect on Dislocation Density of InP Single Crystal (1984)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401614670

    CiNii収録論文: 1件

    • Formation Process of Stacking Faults with Ringlike Distribution in CZ-Si Wafers (1989)
  • Shinoyama Seiji ID: 9000401632220

    CiNii収録論文: 1件

    • Application of Copper-Decoration Method to Characterize As-Grown Czochralski-Silicon (1992)
  • 篠山 誠二 ID: 9000002884933

    CiNii収録論文: 4件

    • CZシリコン結晶の育成および評価 (大規模集積回路<特集>) (1978)
    • 0.8mm,700MHzフェライト電波整合体(技術談話室) (1975)
    • フェライトの加工変質層-2-ポリシングによる加工変質層とその磁気特性に与える影響 (1977)
  • 篠山 誠二 ID: 9000253324138

    新日本製鐵(株)第一技術研究所素材第三研究センター (1988年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • CZシリコンウエハー中のリング状分布積層欠陥 (1988)
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