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  • 中崎 靖 ID: 9000003406522

    京大工 (1984 from CiNii)

    Articles in CiNii:4

    • 12a-L-14 高分子膜の気体透過におけるレーザー照射の影響 (1983)
    • 4a-N-9 高分子膜における気体透過のレーザー照射効果 (1984)
    • 2p-RG-8 高分子膜の気体透過におけるレーザー照射効果の温度依存性 (1984)
  • 中崎 靖 ID: 9000007231687

    Articles in CiNii:2

    • Si LSIの高融点金属電極と配線 (1990)
    • デバイスの微細化と拡散技術の動向 (浅い拡散層形成技術<特集>) (1989)
  • 中崎 靖 ID: 9000246818480

    京大工 (1985 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 3a-B1-1 多孔質膜による気体透過のレーザー照射効果(量子エレクトロニクス) (1985)
  • 中崎 靖 ID: 9000252924059

    京大工 (1983 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザーエネルギー応用 (1983)
  • 中崎 靖 ID: 9000253687643

    京大, 工 (1984 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • C レーザーエネルギー応用 1 (1984)
  • 中崎 靖 ID: 9000332222191

    Articles in CiNii:1

    • 招待講演 薄膜強誘電体HfO₂を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 (シリコン材料・デバイス) (2016)
  • 中崎 靖 ID: 9000332223088

    Articles in CiNii:1

    • 招待講演 薄膜強誘電体HfO₂を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 (集積回路) (2016)
  • 中崎 靖 ID: 9000333080798

    Articles in CiNii:1

    • 招待講演 薄膜強誘電体HfO₂を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 (情報センシング) (2016)
  • 中崎 靖 ID: 9000356652514

    Articles in CiNii:1

    • 依頼講演 HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 (集積回路) (2017)
  • NAKASAKI Yasushi ID: 9000001655074

    ULSI Research Lab., R&D Center, Toshiba Corp. (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • CVD OF F-Doped SiO2 with Low Dielectric Constant (1995)
  • NAKASAKI Yasushi ID: 9000253324738

    Toshiba ULSI Research Center (1990 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Refractory Metal Electrodes and Interconnections in Si LSI (1990)
  • Nakasaki Y. ID: 9000006147139

    Articles in CiNii:8

    • Nitrogen-Originated NBTI Mechanism in SiON with High-Nitrogen Concentration (2006)
    • Novel SiON process technology for ultrathin and ultralow leakage gate dielectrics (2005)
    • Impact of Very Low Hf Concentration (Hf=6%) Cap Layer on Performance and Reliability Improvement of HfSiON-CMOSFET with EOT Scalable to 1nm (2007)
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