Search Results1-14 of  14

  • 中沼 尚 ID: 9000003418198

    日電IC (1969 from CiNii)

    Articles in CiNii:8

    • SiO_2の気相成長 : 半導体 : 結晶,表面 (1966)
    • Ge dendrite中の不純物分布 : 半導体 (1961)
    • Ge及びSiのEpitaxial Growth : 半導体 (1961)
  • 中沼 尚 ID: 9000003427848

    日本電気株式会社 (1964 from CiNii)

    Articles in CiNii:3

    • SiのEpitaxial Growth : 半導体 (1962)
    • Siのepitaxial growth (VI) : 半導体(エピタキシー) (1964)
    • 4a-A-5 Siのepitaxial growth (1963)
  • 中沼 尚 ID: 9000003586514

    日電 I. C. (1969 from CiNii)

    Articles in CiNii:3

    • 5p-F-10 SiのEpitaxial Growth (1964)
    • SiのEpitaxial Growth : 半導体 : 結晶成長 (1965)
    • MIS構造の電気的特性 : 半導体 (表面) (1969)
  • 中沼 尚 ID: 9000017594007

    Articles in CiNii:1

    • エピタキシアル結晶成長法について (1962)
  • 中沼 尚 ID: 9000017612944

    Articles in CiNii:1

    • 情報を半永久的に記憶保持するMASトランジスタ(Electronics Journal) (1970)
  • 中沼 尚 ID: 9000017634062

    Articles in CiNii:1

    • 結晶生成の新技術 (1961)
  • 中沼 尚 ID: 9000017888800

    Articles in CiNii:2

    • 低温エピタキシャル成タによるSiバラクタ (1967)
    • 多層絶縁膜の問題 (集積回路(特集)) -- (基礎的問題) (1972)
  • 中沼 尚 ID: 9000018077710

    Articles in CiNii:2

    • Siエピタキシャル成長層の魚眼状欠陥 (1967)
    • Siエピタキシャル成長層中のあり地獄状欠陥 (1967)
  • 中沼 尚 ID: 9000256107829

    Articles in CiNii:1

    • 半導体のEpitaxial Growth (技術者のために : 第XXX回 結晶成長(13)) (1964)
  • 中沼 尚 ID: 9000404639610

    Articles in CiNii:1

    • 20191010 (1967)
  • 中沼 尚 ID: 9000404639669

    Articles in CiNii:1

    • 20191010 (1967)
  • 中沼 尚 ID: 9000404639809

    Articles in CiNii:1

    • 20191010 (1967)
  • NAKANUMA Sho ID: 9000021456174

    Nippon Electric Co., LTD. (1966 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Vapour Growth of Semiconductors (1966)
  • Nakanuma Sho ID: 9000255823481

    日本電気株式会社半導体工場技術部 (1962 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • New Techniques of Ge and Si Crystals (1962)
Page Top