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  • 土居 功年 ID: 9000000108113

    近畿大学 (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • ガラス基板上のSi層へのエキシマレーザードーピング (1995)
  • 土居 功年 ID: 9000003589596

    阪大基工 (1969 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Siへのイオン注入 : 荷電ビームと応用 (1969)
  • 土居 功年 ID: 9000007231035

    Articles in CiNii:2

    • 光を用いた単原子層半導体結晶成長 (1987)
    • アルゴンレ-ザMOCVD--GaAsの原子層成長への応用 (エキシマレ-ザ・光CVD<特集>) (1987)
  • 土居 功年 ID: 9000021786702

    近畿大学理工学部 (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • シリコンチップを用いた薬物放出制御 (1995)
  • 土居 功年 ID: 9000252924893

    近畿大学・理工学部 (1989 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1989)
  • 土居 功年 ID: 9000253690365

    Articles in CiNii:1

    • レーザーによる単原子層エピタキシャル成長 (1988)
  • 土居 功年 ID: 9000253691402

    近畿大学 (1990 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング:親水性 (1990)
  • 土居 功年 ID: 9000253692887

    近大理工 (1992 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1992)
  • 土居 功年 ID: 9000253693734

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1993)
  • 土居 功年 ID: 9000253694447

    近畿大理工 (1994 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1994)
  • 土居 功年 ID: 9000253695367

    近畿大理工 (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1995)
  • DOI A. ID: 9000002365329

    Kinki Univ. (1997 from CiNii)

    Articles in CiNii:5

    • Nanocrystalline Silicon Thin Films by Laser Melting Method (1997)
    • DRUG CONTROLEED RELEASE SYSTEM USING SILICON CHIP. (1996)
    • Coutrolled release of drug using semiconductor chip carrier (1996)
  • DOI Atsutoshi ID: 9000020061220

    Frontier Research Programs RIKEN (1988 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Development and characteristics of MBE/CBE system. (1988)
  • DOI Atsutoshi ID: 9000020223374

    理化学研究所国際フロンティア研究システム (1987 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Control of crystal growth using an excitation by light irradiation. (1987)
  • DOI Atsutoshi ID: 9000253319517

    Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (1972 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Continuous Growth of Multi-Layer GaAs Crystal by Liquid Phase Epitaxy (1972)
  • DOI Atsutoshi ID: 9000253323973

    The Institute of Physical and Chemical Research. (1987 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Laser-Atomic Layer Epitaxy (1987)
  • DOI Atsutoshi ID: 9000253689146

    Institute of Physical and Chemical Research (1987 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Laser atomic layer epitaxy. (1987)
  • Doi A. ID: 9000253697436

    Kinki Univ. (1997 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセシング (1997)
  • Doi Atsutoshi ID: 9000003450021

    近畿大学理工学部 (1989 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Laser Atomic Layer Epitaxy (1989)
  • Doi Atsutoshi ID: 9000004337190

    Articles in CiNii:3

    • 埋込みヘテロ形InGaAsP/InP長波長半導体レ-ザ (1979)
    • GaAs薄層の液相成長 (1975)
    • Liquid-Phase Epitaxial Growth of Thin GaAs Layer (1977)
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