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  • 大西 照人 ID: 9000003408066

    阪大・基礎工(現)松下電器中研 (1985 from CiNii)

    Articles in CiNii:5

    • 3a-M-5 熱によるFe-Mg,Fe-V人工格子の構造緩和 (1984)
    • 3a-M-6 人工格子の構造ゆらぎを考慮したステップモデル (1984)
    • 2a-N-7 熱による人工格子の構造緩和 III. (1985)
  • 大西 照人 ID: 9000364863198

    大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性学分野 (1985 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 6. X線回折によるFe-Mg, Fe-V人工格子の構造的研究(大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性学分野,修士論文アブストラクト(1984年度)) (1985)
  • OHNISHI T. ID: 9000004969725

    Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (2001 from CiNii)

    Articles in CiNii:2

    • SiGeCのUHV-CVD成長と応用 (2000)
    • Characteristics of SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET (DTMOS) (2001)
  • Ohnishi Teruhito ID: 9000254439405

    Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (1991 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • The Cleaning Technology Using the D.I. Water for SMT. The Cleaning Techniques of Silicon Wafers Using the D.I. Water for ULSI Fabrication Process.:—The Cleaning Techniques of Silicon Wafers Using the D. I. Water for ULSI Fabrication Process— (1991)
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