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  • 松倉 保夫 ID: 9000003417619

    九州芸術工科大学 (1969 from CiNii)

    Articles in CiNii:34

    • Geライフタイムの一軸性応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム (1965)
    • Si-SiO_2境界の性貭 IV : 半導体 : 結晶,表面 (1966)
    • Ni doped Siの電気的性質(III) : 半導体 (1960)
  • 松倉 保夫 ID: 9000003418183

    日電・中研 (1966 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Gepn接合の圧力効果 : 深い準位 : 半導体・イオン結晶・光物性 (1966)
  • 松倉 保夫 ID: 9000003427235

    九大理 (1964 from CiNii)

    Articles in CiNii:6

    • 沈降ポテンシヤルの測定 : 生体物理 (1961)
    • BSAの沈降ポテンシャルの測定 : 生体物理 (1962)
    • 15C-3 アスパラギン酸及びグルタミン酸の沈降ポテンシヤル (1957)
  • 松倉 保夫 ID: 9000005328287

    日本電気株式会社 (1979 from CiNii)

    Articles in CiNii:4

    • 1979ISSCC (1979)
    • Siエピタキシャルp-n接合の特性(半導体(拡散,エピタキシー) (1963)
    • Incorporation of Boron into Epitaxial Grown Si(半導体(拡散,エピタキシー) (1963)
  • 松倉 保夫 ID: 9000007221236

    Articles in CiNii:4

    • ACOSシリ-ズ77NEACシステム600,700に使用された4k-MOSメモリ (1975)
    • バルク効果素子とは(Electronics Journal) (1969)
    • GaAs集積回路を思う (技術は羽ばたく GaAs) (1969)
  • 松倉 保夫 ID: 9000007618974

    Articles in CiNii:1

    • ガウディが語る構造美の世界 (構造美--建築の中の美<特集>) (1994)
  • 松倉 保夫 ID: 9000008200628

    Articles in CiNii:3

    • 総論--開発・応用からみた多機能化ICの現状と将来 (多機能化ICの応用回路設計<特集>) (1975)
    • モノリシックIC 最近の動向と新技術 (電子部品ガイドブック 最近の傾向と新技術を追って) -- (集積回路) (1974)
    • シリコン・ゲート方式 (脚光をあびるMOS技術とその応用(特集)) -- (MOS技術の話題) (1971)
  • 松倉 保夫 ID: 9000008547503

    Articles in CiNii:1

    • 芸術と科学の融合 (アントニオ・ガウディ--構造と装飾の統合<特集>) (1978)
  • 松倉 保夫 ID: 9000009415839

    Articles in CiNii:3

    • ガウディの装飾論の芸術工学的特色 (1993)
    • ガウディの建築史観 (1995)
    • ガウディの幾何学 (1996)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017568692

    電試 (1954 from CiNii)

    Articles in CiNii:3

    • 鉱石検波器出力のBiasによる変化 (1951)
    • 16C7. Diffusion potentialの温度依存性について (1953)
    • 3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II (1954)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017597422

    Articles in CiNii:1

    • 赤外線デテクター (1958)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017747474

    Articles in CiNii:1

    • 半導体装置における金属の問題点 (電子・電気材料の問題点(特集)) (1967)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017816331

    Articles in CiNii:1

    • 超遠心器の試作 (1953)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017887516

    Articles in CiNii:6

    • Goermanium-Silicon Alloy Diodes-1- (1958)
    • シリコンの単結晶引上げ (1958)
    • Al蒸着法によるAl-Si合金p-n接合 (1959)
  • 松倉 保夫 ID: 9000017975409

    Articles in CiNii:1

    • 新しいバイポーラ論理回路 (電子デバイス(特集)) (1973)
  • 松倉 保夫 ID: 9000018018863

    Articles in CiNii:4

    • Geの弾性歪とキヤリヤ再結合寿命 (1965)
    • Si-SiO2境界の性質 (1966)
    • 半導体のGrain Boundaryについて (1961)
  • 松倉 保夫 ID: 9000018077661

    Articles in CiNii:2

    • 半導体材料-6-シリコンおよびゲルマニウム単結晶の作り方-2-(講義) (1966)
    • 半導体材料-5-シリコンおよびゲルマニウム単結晶の作り方-1- (1966)
  • 松倉 保夫 ID: 9000018293961

    Articles in CiNii:3

    • 膜形成技術 (超LSI特集) -- (高密度化プロセス技術) (1979)
    • SiのGrain Boundary : 半導体 (1960)
    • SiのGrain Boundary : 半導体 (1961)
  • 松倉 保夫 ID: 9000018402950

    Articles in CiNii:2

    • MOSメモリ (集積回路(特集)) -- (電界効果トランジスタ集積回路) (1972)
    • 半導体固定メモリ,ICメモリ装置 (メモリ(特集)) -- (半導体メモリ) (1971)
  • 松倉 保夫 ID: 9000242865195

    九大理 (1954 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 2D18 セレン化錫の電気的性質について(2D 半導体 一般) (1954)
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