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  • 林 久貴 ID: 9000014448470

    日赤医療センター （1993 from CiNii）

    Articles in CiNii:2

    • 3. 放射線治療における位置の再現性-とくに下腹部について(東京部会) （1991）
    • 6. 放射線治療技術研究会「外部照射における人為ミスの検討」(東京部会) （1993）
  • 林 久貴 ID: 9000045871627

    国立がんセンター病院政放射線治療部 （1989 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • コンピューティドシミュレーション画像を用いた新しい放射線治療計画法に関する研究(その2) （1989）
  • HAYASHI Hisataka ID: 9000000076214

    Plasma Technology Laboratory, Association of Super-Advanced Electronics Technologies(ASET) （1998 from CiNii）

    Articles in CiNii:2

    • Analyses of Radicals in Etching Plasma Using Laser Spectroscopy in Association of Super-Advanced Electronics Technologies （1998）
    • High Aspect Ratio SiO_2 Etching Technique （1997）
  • HAYASHI Hisataka ID: 9000004970060

    Toshiba Corporation （2007 from CiNii）

    Articles in CiNii:4

    • Restoration process for Porous Low-k/Copper Dual Damascene Interconnects （2007）
    • SON-MOSFET using ESS technique for SoC applications （2002）
    • Fabrication of SON(Silicon on Nothing)-MOSFET and Its ULSI Applications （2002）
  • HAYASHI Hisataka ID: 9000253326162

    ULSI Research Laboratories, Toshiba Corpora-tion. （1995 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • Plasma etching technology （1995）
  • HAYASHI Hisataka ID: 9000283413864

    <I>Plasma Technology Laboratory, Association of Super-Advanced Electronics Technologies</I> （1998 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • Analyses of Radicals in Etching Plasma Using Laser Spectroscopy in Association of Super-Advanced Electronics Technologies （1998）
  • HAYASHI Hisatake ID: 9000004966811

    Association of Super-advanced Electronics Technologies （1999 from CiNii）

    Articles in CiNii:4

    • Plasma etching technology （1995）
    • SiO_2 Selective Etch Mechanism in High-Aspect-Ratio holes （1996）
    • Characterization of Highly Selective SiO_2/Si_3N_4 etching of High-Aspect-Ratio Holes （1995）
  • Hayashi Hisataka ID: 9000383165756

    TOSHIBA MEMORY CORPORATION （2017 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • 高濃度CF<sub>4</sub>ガスを用いた高圧プラズマCVDによるフルオロカーボン膜の形成 （2017）
  • Hayashi Hisataka ID: 9000383165783

    東芝メモリ （2017 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • 準大気圧プラズマを用いた高濃度パーフルオロカーボンガスの分解特性 （2017）
  • Hayashi Hisataka ID: 9000410039333

    Kioxia Cop. （2020 from CiNii）

    Articles in CiNii:1

    • CF<sub>4</sub>プラズマによりオンサイト生成されるC<sub>2</sub>F<sub>4</sub>ガスの濃縮・高純度化 （2020）
  • Sunaoka Masayoshi ID: 9000005073331

    放射線医学総合研究所病院・放射線科 （2000 from CiNii）

    Articles in CiNii:50

    • DEPTH ABSORBED DOSE CHARACTERISTICS FOR SEVERAL MEDICAL ELECTRON ACCELERATORS : ACCORDING TO THE JASTRO QA PROGRAM （1995）
    • Comparison of the X-ray absorbed doses at the calibration point measured with electron accelerators in different hospitals in Tokyo area(2nd report)(Program of 23rd Autumn Meeting) （1995）
    • 495 Comparison of the X-ray absorbed doses at the calibration point measured with electron accelerators in different hospitals in Tokyo area （1995）
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