検索結果9件中 1-9 を表示

  • 纐纈 明伯 ID: 1000010111626

    CiNii収録論文: 76件

    • 化合物半導体の原子層エピタキシー (1994)
    • シリコン中の窒素の構造決定 (2001)
    • 「紫外発光素子材料の現状と将来」小特集にあたって (2002)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000003435095

    東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門 (2016年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 22件

    • ナノ未来材料 (2004)
    • Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析 (2004)
    • ナノ磁性体規則配列の作製と磁化状態の解析 (2004)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000253404215

    CiNii収録論文: 1件

    • III-V. 族半導体の気相エピタキシャル成長 (1984)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000383124358

    農工大工 (2004年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 29pXN-13 低エネルギー多価イオン衝突による化合物半導体表面からの二次イオン放出過程(原子・分子)(領域1) (2004)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000383140551

    農工大院・共生科学 (2004年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 15pTE-6 多価イオン衝突による GaN 表面からの二次イオン放出過程(原子 分子, 領域 1) (2004)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000383715620

    農工大院工 (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 25pWD-10 エネルギー損失で選別された多価イオン : 固体表面衝突における二次イオン放出過程(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)) (2006)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000383779850

    東京農工大学大学院工学系 (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長) (2008)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000384302689

    東京農工大工学部 (2001年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析 (2001)
  • 纐纈 明伯 ID: 9000384317304

    東京農工大工学部 (2002年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 25pWE-9 シリコン中の窒素空孔複合体の基準振動の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野)) (2002)
ページトップへ