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  • 花倉 満 ID: 9000000985153

    明電舎 研究開発センター (2003 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 100%高純度オゾン製造装置 (2003)
  • 花倉 満 ID: 9000008905543

    Articles in CiNii:1

    • 新形素子--8kV低損失GTOサイリスタ (電力変換装置特集) (1988)
  • 花倉 満 ID: 9000009376004

    Articles in CiNii:1

    • SIサイリスタを用いたパルスレーザ励起電源 (第13回 SIデバイスシンポジウム講演論文集) (2000)
  • 花倉 満 ID: 9000010043050

    Articles in CiNii:1

    • ピュアオゾンジェネレータ (特集 半導体工場/電子機器製造工場を支える周辺技術) (2005)
  • 花倉 満 ID: 9000017955147

    Articles in CiNii:1

    • Process innovation: What's the benefit of purified ozone? (2011)
  • 花倉 満 ID: 9000021237998

    明電舎 (2004 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 沼津支所便り (2004)
  • 花倉 満 ID: 9000317149670

    明電舎 (2016 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • 沼津支所の最近の活動状況 (2016)
  • KAKURA Mitsuru ID: 9000014598206

    Articles in CiNii:3

    • 高濃度オゾンガスによるレジストアッシング--環境に優しいオゾンを用いた感光性樹脂の除去 (2008)
    • 高純度オゾンを用いたアッシング技術 (新技術特集) -- (基盤技術) (2009)
    • Ashing of Novolak Resist by Highly Concentrated Ozone Gas (2009)
  • KEKURA Mitsuru ID: 9000001493258

    Meidensha Corp. (2010 from CiNii)

    Articles in CiNii:11

    • SiO_2 Dielectric Film Formation by Alternate Supply of Organic Silicon Gas and Highly Concentrated Ozone Gas at Below 300℃ (2005)
    • Oxidation on Poly Silicon at Low Temperature Using UV Light-excited Ozone Gas (2007)
    • Application of UV-Light Excited Ozone to Large-Sized Si Wafer at Low Temperature (2008)
  • KEKURA Mitsuru ID: 9000403277037

    Meidensha Corporation, Engineering Business Unit (2019 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • New Deposition Method at Low Temperature Using Active Species Derived from High Purity Ozone Gas and Ethylene Gas (2019)
  • Kekura Mitsuru ID: 9000398983249

    Meidensha corp. (2018 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Development of room temperature film deposition technique using a high-purity ozone and ethylene gases (2018)
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