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  • 藤林 肇次 ID: 9000000108114

    近畿大学 (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • ガラス基板上のSi層へのエキシマレーザードーピング (1995)
  • 藤林 肇次 ID: 9000003417673

    三菱電機中研 (1965 from CiNii)

    Articles in CiNii:3

    • n型InPにおよぼすAsの影響 : 半導体 : 輸送 (1965)
    • AgSeの変態 : 半導体 : 気相成長 (1965)
    • ゲルマニウムデンドライト中の不純物分布 : 半導体 (1961)
  • 藤林 肇次 ID: 9000017612691

    Articles in CiNii:3

    • 最近におけるマイクロ波半導体素子 (1968)
    • (Ga,Al)Asの発光(Electronics Journal) (1970)
    • ガン・ダイオードとその応用 (GaAsとその応用-2-(特集)) (1971)
  • 藤林 肇次 ID: 9000017891987

    Articles in CiNii:1

    • 電力増幅回路 (半導体IC設計ハンドブック) -- (アナログ編) (1969)
  • 藤林 肇次 ID: 9000018037627

    Articles in CiNii:5

    • 半導体放射線検出器-2- (半導体(特集)) (1965)
    • GaAs可変容量ダイオード (半導体(特集)) (1965)
    • 3-5族化合物半導体単結晶 (1965)
  • 藤林 肇次 ID: 9000252924895

    近畿大学・理工学部 (1989 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1989)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253318158

    三菱電機(株)北伊丹製作所 (1967 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Geデンドライト (1967)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253691404

    近畿大学 (1990 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング:親水性 (1990)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253692890

    近大理工 (1992 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1992)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253693735

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1993)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253694450

    近畿大理工 (1994 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1994)
  • 藤林 肇次 ID: 9000253695369

    近畿大理工 (1995 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • レーザープロセッシング (1995)
  • FUJIBAYASHI Keiii ID: 9000252844027

    三菱電機中央研究所 (1973 from CiNii)

    Articles in CiNii:1

    • Precipitates in Heavily Doped GaAs Crystal (1973)
  • Fujibayashi Keiji ID: 9000002364771

    Department of Electrical Engineering, Kinki University (1984 from CiNii)

    Articles in CiNii:2

    • Phosphorous Oxide Geyyering Effect on Lifetime in Si Wafers (1984)
    • Minority Carrier Lifetime in Surface-Treated n-Type Silicon Wafers (1980)
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