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  • High adhesion copper metalizing of fluoropolymer substrates through atmospheric pressure plasma liquid deposition approach

    Akiyama Hiroki , Zettsu Nobuyuki , Yamamura Kazuya

    フッ素樹脂は低誘電率、低誘電正接という優れた高周波特性を持ち、10GHz帯域に対応可能な高周波用配線基板の材料として注目されている。これまでに大気圧プラズマを用いた表面改質により密着強度の向上が図られてきたが、2.0kgf/cm以上の密着強度を得ることができなかった。本研究では大気圧プラズマと液相中でのナノレベルの自己組織化を融合させた、大気圧プラズマ化学液相堆積法を用いたフッ素樹脂表面の金属化プ …

    Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2009A(0), 579-580, 2009

    J-STAGE 

  • Characteristics of GaAs HEMTs with Flip-Chip Interconnections(Amplifier)(<Special Issue>Recent Trends on Microwave and Millimeter Wave Application Technology)

    ONO Naoko , SASAKI Fumio , ARAI Kazuhiro , YOSHINAGA Hiroyuki , ISEKI Yuji

    … The under fill resin, which was not used for the conventional flip-chip interconnection structure, was adopted between GaAs chip and assembly substrate to obtain high reliability. … The under fill resin is effective in relaxing the thermal stress between the chip and the substrate and in encapsulating the chip. …

    IEICE transactions on electronics E86-C(12), 2452-2461, 2003-12-01

  • Thick On-Chip Interconnections by Cu-Damascene Processes Using a Photosensitive Polymer

    SAITO Kunio , KOSUGI Toshihiko , YAMAGUCHI Chikara , KUDO Kazuhisa , YANO Masaki , YAGI Shoji , ISHII Hiromu , MACHIDA Katsuyuki , KYURAGI Hakaru

    High-quality spiral inductors with a maximum Q of 38 and coplanar waveguides with small transmission losses were obtained with reducing high-frequency power loss in the silicon substrate by forming a 20-30-μm-thick low-k ILD layer between the silicon substrate and the interconnection. …

    IEICE transactions on electronics E85-C(3), 864, 2002-03-01

  • Thick on-chip interconnections by Cu-damascene processes using a photosensitive polymer  [in Japanese]

    SAITO Kunio , YAGI Shoji , KOSUGI Toshihiko , YAMAGUCHI Chikara , KUDO Kazuhisa , YANO Masaki , ISHII Hiromu , MACHIDA Katsuyuki , KYURAGI Hakaru

    ポジ型感光性樹脂の紫外線露光・現像で厚膜パタンを形成し、その熱処理による硬化でlow-k層間膜パタンを得、Cuメッキと研磨(CMP)法により10μm級のオンチップ厚膜配線をシリコン基板上に形成した。20-30μmの厚さのビアホール付きlow-k層間膜をシリコン基板とオンチップ配線との間に形成することによりシリコン基板による高周波の損失を低減し、高いQ値(38)のスパイラルインダクタを得た。また、電 …

    Technical report of IEICE. SDM 100(603), 15-22, 2001-01-23

    References (10)

  • Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AIGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse

    KUNIHIRO Kazuaki , KASAHARA Kensuke , TAKAHASHI Yuji , OHNO Yasuo

    Japanese Journal of Applied Physics Pt. 1 Regular Papers, Short Notes & Review Papers 39(4), 2431-2434, 2000-04-01

    References (6) Cited by (3)

  • Long-wavelength VCSELs with GaAsSb on GaAs substrates  [in Japanese]

    YAMADA Mitsuki , ANAN Takayoshi , KURIHARA Kaori , NISHI Kenichi , TOKUTOME Keiichi , KAMEI Akio , SUGOU Shigeo

    GaAs基板上で1.3μm帯発光を有する新材料系としてGaAsSb/GaAs系量子井戸を提案し、長波VCSELへ適用した。GSMBE結晶成長最適化、及び不均一注入を制御するp型変調ドープ構造により量子井戸活性層の高性能化を実現した。AlAs/GaAsDBRを有するVCSELを作製した結果、GaAs系VCSELとしては最も長波長(1.23μm)で、閾値電流0.6mAの低閾値室温CW発振、更に最高CW …

    Technical report of IEICE. LQE 99(652), 19-24, 2000-02-23

    References (17) Cited by (1)

  • Microwave Performance of 0.3-.MU.m Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse.

    Kunihiro Kazuaki , Kasahara Kensuke , Takahashi Yuji , Ohno Yasuo

    … We have fabricated multi-finger AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors (HJFETs) with a sub-half-micron gate-length on a sapphire substrate that are suitable for near-millimeter-wavelength applications. … Fabricated HJFETs with a 0.25-μm gate-length had a small-signal power-gain high enough for K- and Ka-band applications, i.e., a cut-off frequency of 40 GHz, a maximum oscillation frequency of 97 GHz, and a maximum stable gain of 11.8 dB at 30 GHz. …

    Japanese Journal of Applied Physics 39(4B), 2431-2434, 2000

    J-STAGE 

  • The Effects of Cu Diffusion in Cu/TiN/SiO_2/Si Capacitors

    KWAK Mi-Young , SHIN Dong-Hyuk , KANG Tae-Won , KIM Ki-Nam

    High frequency C-V characteristics of the annealed capacitors were measured before and after bias temperature stress treatment. … The device failure due to Cu diffusing into Si substrate was not observed to occur by annealing of up to 700°C for 1 h. …

    Japanese Journal of Applied Physics 38(10), 5792-5795, 1999-10-15

    J-STAGE  References (17)

  • A Piezoresistive Silicon Accelerometer Using Porous Silicon Micromachining and Flip-Chip Bonding

    SIM Jun-Hwan , LEE Jong-Hyun

    Japanese Journal of Applied Physics Pt. 1 Regular Papers, Short Notes & Review Papers 38(4), 1915-1918, 1999-04-01

    References (16)

  • Long-wavelength VCSELs with GaAsSb/GaAs material systems  [in Japanese]

    ANAN Takayoshi , YAMADA Mitsuki , TOKUTOME Keiichi , KAMEI Akio , NISHI Kenichi , SUGOU Shigeo

    長波面発光LDに不可欠なGaAs基板上1.3μm発光材料としてGaAsSbを提案、試作し、そのGSMBE成長条件、結晶構造、バンド構造、光学特性を明らかにした。さらに、この発光層をAlAs/GaAs DBRと組み合わせてメササイズ25μm角の長波面発光LDを試作し、波長1.22μm、閾値電流20mA,での室温パルス発振を実現した。Sb組成を更に増やすことで、1.3μmでの発振が可能であり、GaAs …

    Technical report of IEICE. LQE 98(617), 37-42, 1999-02-24

    References (19) Cited by (1)

  • A Piezoresistive Silicon Accelerometer Using Porous Silicon Micromachining and Flip-Chip Bonding.

    Sim Jun–Hwan , Lee Jong–Hyun

    … The flip-chip bonding technology with numerous advantages, such as a low inductance and resistance, excellent high-frequency behavior, and high-density interconnection, compared to conventional interconnection methods, was also proposed. … This bonding technology is thought to be promising for implementing electrical interconnections between the sensor chip and the substrate. …

    Japanese Journal of Applied Physics 38(4A), 1915-1918, 1999

    J-STAGE 

  • Bondability of 100kHz thermosonic wire bonding  [in Japanese]

    TOMIOKA Taizo , IGUCHI Tomohiro , MORI Ikuo , OHTANI Kazumi , SUEMATSU Mutsumi , ATSUMI Koichiro

    ICの入出力端子の増加, チップサイズの縮小, 樹脂基板を用いたICパッケージの増加などにより, ワイヤボンディングには, 微細ピッチ化や低温化などへの対応が強く求められている.今回, 超音波の高周波化がワイヤボンディングの接合性に与える影響を調べるため, 超音波周波数63kHzと103kHzとで接合部の変形量と接合強度や接合界面に形成される合金層の面積の関係を比較した.その結果, 超音波を63k …

    Technical report of IEICE. ICD 98(459), 7-14, 1998-12-11

    References (5)

  • Bondability of 100kHz thermosonic wire bonding  [in Japanese]

    TOMIOKA Taizo , IGUCHI Tomohiro , MORI Ikuo , OHTANI Kazumi , SUEMATSU Mutsumi , ATSUMI Koichiro

    ICの入出力端子の増加, チップサイズの縮小, 樹脂基板を用いたICパッケージの増加などにより, ワイヤボンディングには, 微細ピッチ化や低温化などへの対応が強く求められている.今回, 超音波の高周波化がワイヤボンディングの接合性に与える影響を調べるため, 超音波周波数63kHzと103kHzとで接合部の変形量と接合強度や接合界面に形成される合金層の面積の関係を比較した.その結果, 超音波を63k …

    IEICE technical report. Component parts and materials 98(457), 7-14, 1998-12-11

    References (5)

  • High Frequency Electrical Characterization of an ALIVH Substrate and Interconnecting Region using SBB Technology  [in Japanese]

    TAGUCHI Yutaka , IWAKI Hideki , ITAGAKI Minehiro , BESSHO Yoshihiro , EDA Kazuo

    全てのレイヤーにIVH(インナーヴィアホール)が形成できるALIVH(Any Layer Inner Via Hole)基板とフリップチップ実装の1手法であるSBB(Stud Bump Bonding)実装の高速デジタル回路への応用を目的として、GHz帯における特性を3次元有限要素法によるシミュレーションおよび実測によって調べた。また実際の回路設計に使用できるようにヴィアホール、SBB実装部分の等 …

    Technical report of IEICE. ICD 98(458), 29-33, 1998-12-10

    References (6)

  • High Frequency Electrical Characterization of an ALIVH Substrate and Interconnecting Region using SBB Technology  [in Japanese]

    TAGUCHI Yutaka , IWAKI Hideki , ITAGAKI Minehiro , BESSHO Yoshihiro , EDA Kazuo

    全てのレイヤーにIVH(インナーヴィアホール)が形成できるALIVH(Any Layer Inner Via Hole)基板とフリップチップ実装の1手法であるSBB(Stud Bump Bonding)実装の高速デジタル回路への応用を目的として、GHz帯における特性を3次元有限要素法によるシミュレーションおよび実測によって調べた。また実際の回路設計に使用できるようにヴィアホール、SBB実装部分の等 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 98(456), 29-33, 1998-12-10

    References (6)

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