アモルファスシリコン薄膜トランジスタのオフ電流特性に及ぼすプラズマ処理の効果

• 鷲塚 諫

  シャープ (株) 情報・プリント・通信事業統轄

• 藪田 哲史

  シャープ (株) TFT液晶事業本部

• 岡本 昌也

  シャープ (株) 液晶開発本部

書誌事項

タイトル別名

• Plasma Treatment Effect on the Off Current Characteristics of a-Si Thin Film Transistor.
• アモルファスシリコン ハクマク トランジスタ ノ オフ デンリュウ トクセイ ニ オヨボス プラズマ ショリ ノ コウカ

抄録

The off current of amorphous silicon (a-Si: H) thin film transistors (TFTs) depends on fabrication after back-channel etching. Plasma treatment after back-channel etching affects off current in the lower subthreshold voltage region. Off current is high in O₂ plasma treatment and low in N₂ plasma treatment. Without plasma treatment, off current can not be controlled. N₂ plasma treatment affects the interface characteristics between a-Si: H layer and passivation layer, obstructing electron transport near the back-channel inerface.

収録刊行物

• 表面技術

  表面技術 50 (3), 273-277, 1999

  一般社団法人 表面技術協会

キーワード

• a-Si
• TFT
• Plasma Treatment

詳細情報

• CRID: 1390001204114943744
• NII論文ID: 10002112031
• NII書誌ID: AN1005202X
• DOI: 10.4139/sfj.50.273
• ISSN: 18843409
• ISSN: 09151869
• NDL書誌ID: 4677065
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4677065
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可