走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察

書誌事項

タイトル別名
  • Solid-Phase Epitaxy Processes of Amorphous Si Layers on Si Substrates Studied by Scanning Tunneling Microscopy

この論文をさがす

収録刊行物

参考文献 (11)*注記

もっと見る

詳細情報

  • CRID
    1572543023950963328
  • NII論文ID
    10002114893
  • NII書誌ID
    AN00334149
  • ISSN
    03885321
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ