エチレングリコール溶液中におけるシリコン陽極酸化膜のＸ線光電子分光法による解析

• 柚賀 正光

  東京工業高等専門学校

• 吉岡 学洋

  東京工業高等専門学校

• 竹内 舞

  東京工業高等専門学校

• 高橋 三男

  東京工業高等専門学校

• 大山 昌憲

  東京工業高等専門学校

書誌事項

タイトル別名

• XPS Analysis of Anodic Oxide Films on Si in an Ethylene Glycol Solution.
• エチレン グリコール ヨウエキチュウ ニ オケル シリコン ヨウキョク サンカ

抄録

Silicon dioxide films were fabricated by anodizing single-crystal silicon wafers in a 0.04kmol m^-3 HNO₃ ethylene glycol solution at 25∼70°C for analysis by XPS with Ar sputtering and capacitance measurement.<br>In anodization, a constant 100mA current was applied up to an anode potential of 200V, then the potential was maintained at this value.<br>The maximum anode potential was reached 200V at 45°C, and the current decay in potentiostatic periods was slowest at this temperature.<br>XPS O 1s and Si 2p spectra showed that anodic oxide film formed at 45°C is thicker than any film formed at other temperatures, and that the film/substrate interface of samples anodized at 45°C is relatively rough compared to that fabricated at other temperatures. Anodic oxide film capacitance was minimum at 45°C.

収録刊行物

• 表面技術

  表面技術 47 (7), 607-610, 1996

  一般社団法人 表面技術協会

キーワード

• Anodic Oxidation Films
• Ethylene Glycol Solution
• X-ray Photoelectron Spectroscopy

詳細情報

• CRID: 1390282679092500224
• NII論文ID: 10002256783
• NII書誌ID: AN1005202X
• DOI: 10.4139/sfj.47.607
• ISSN: 18843409
• ISSN: 09151869
• NDL書誌ID: 3995260
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3995260
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可