アモルファス窒化ケイ素の微粒化に及ぼすＴｉＯ２添加効果とその微粒化機構

• 河合 千尋

  住友電気工業(株)伊丹研究所無機材料研究部

• 松浦 尚

  住友電気工業(株)伊丹研究所無機材料研究部

• 朴 辰珠

  住友電気工業(株)伊丹研究所無機材料研究部

• 吉村 雅司

  住友電気工業(株)伊丹研究所無機材料研究部

• 山川 晃

  住友電気工業(株)伊丹研究所無機材料研究部

書誌事項

タイトル別名

• Effect of TiO2 on Grain Refining of Amorphous Si3N4 and the Grain-refined Mechanism.
• アモルファス チッカ ケイソ ノ ビリュウカ ニ オヨボス TiO2 テンカ

抄録

Amorphous Si₃N₄/TiO₂ compacted bodies were heated at 1490°C, for 1 to 10 hr under N₂ pressures of 0.92 and 1000 atm, and the effect of N₂ pressure on the resulting grain refining was investigated, to clarify the role of TiO₂ in the grain-refined mechanism. Thermodynamic calculation performed prior to experiments indicated that high N₂ pressure inhibited the formation of SiO gas and new formation of Si₃N₄ by its re-nitridation. Crystallized phases after heating were α-Si₃N₄, Si₂N₂O and TiN. Although both N₂ pressures formed the fine grains having a diameter of about 30 nm, high pressure accelerated the grain refining and crystallization of amorphous Si₃N₄ to a-Si₃N₄. From these results, the fine grains were considered to be formed not through re-nitridation of SiO gas but through crystallization of amorphous Si₃N₄.

収録刊行物

• 粉体および粉末冶金

  粉体および粉末冶金 44 (10), 963-969, 1997

  一般社団法人 粉体粉末冶金協会

キーワード

• amorphous Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>
• grain refining
• TiO<SUB>2</SUB>
• crystallization
• specific surface area

詳細情報

• CRID: 1390001206308892544
• NII論文ID: 10002261593
• NII書誌ID: AN00222724
• DOI: 10.2497/jjspm.44.963
• ISSN: 18809014
• ISSN: 05328799
• NDL書誌ID: 4324262
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4324262
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可