プラズマ発光分光分析によるＧａＮ電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子線エピタキシャル成長の観察

• 千葉 恭男

  立命館大学理工学部光工学科

• 冨成 達也

  立命館大学理工学部光工学科

• 名西 〓之

  立命館大学理工学部光工学科

書誌事項

タイトル別名

• Observation of Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxial Growth of GaN by Optical Emission Spectroscopy.
• プラズマ ハッコウ ブンコウ ブンセキ ニ ヨル GaN デンシ サイクロトロン キョウメイ プラズマレイキブンシセン エピタキシャル セイチョウ ノ カンサツ

抄録

We observed excited species near a substrate during GaN growth by optical emission spectroscopy (OES). Both GaN growth rate and excited Ga emission intensity were studied by varying substrate bias conditions. Decrease in Ga emission intensity under high positive bias condition can be explained by suppression of Ga desorption. Thus, OES is considered to be a useful tool to understand GaN growth mechanism in ECR plasma-excited MBE.<BR>We also demonstrated GaN growth using helium-nitrogen mixed gas plasma. It was found that, compared with the GaN growth using nitrogen plasma without helium, the GaN growth rate was increased by using the mixed gas plasma.

収録刊行物

• 真空

  真空 42 (4), 530-534, 1999

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Electrical and Electronic Engineering
• Surfaces, Coatings and Films
• Condensed Matter Physics

詳細情報

• CRID: 1390282679040260352
• NII論文ID: 10002476985
• NII書誌ID: AN00119871
• DOI: 10.3131/jvsj.42.530
• ISSN: 18809413
• ISSN: 05598516
• NDL書誌ID: 4750737
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4750737
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可