ジシランによる放射光励起Siエピタキシャル成長

• 赤沢 方省

  NTT LSI研究所 加工技術研究部

• 内海 裕一

  NTT LSI研究所 加工技術研究部

書誌事項

タイトル別名

• Synchrotron Radiation Excited Silicon Epitaxy Using Disilane

収録刊行物

• 放射光

  放射光 8 (1), 30-48, 1995-02-20

キーワード

• 原子層成長(ALE)
• セルフリミット吸着
• surfactant効果

詳細情報

• CRID: 1572261548976913024
• NII論文ID: 10002496664
• NII書誌ID: AN10075706
• ISSN: 09149287
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles