光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー

• 杉田 義博

  (株)富士通研究所 ULSI研究部門

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 ULSI研究部門

• 伊藤 隆司

  (株)富士通研究所 ULSI研究部門

書誌事項

タイトル別名

• Photo-Stimulated Removal of the Chemical-Oxide on Si(100) and Its Application to the Gas-Source Homo-Epitaxy

収録刊行物

• 放射光

  放射光 8 (1), 49-59, 1995-02-20

キーワード

• 光刺激脱離

詳細情報

• CRID: 1571417124046781312
• NII論文ID: 10002496701
• NII書誌ID: AN10075706
• ISSN: 09149287
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles