Deep ICPRlEとXeF₂ガスエッチングによる回転振動型角速度センサ

• 崔 在濬

  東北大

• 南 和幸

  東北大

• 江刺 正喜

  東北大

書誌事項

タイトル別名

• Rotating vibration type silicon angular rate sensor by deep ICPRIE and XeF₂ gas etching
• Deep ICPRIE ト XeF2 ガスエッチングニヨルカイテン シンドウガ

抄録

A rotating vibration type silicon angular rate sensor was fabricated by deep ICPRIE and XeF₂ gas etching. Using these two etching methods, a sensor which has beams in the center of the thickness of its mass could be fabricated very precisely. This sensor has a glass-silicon-glass structure and its resonator is excited electrostatically and the vibration caused by the angular rate is measured capacitively. The angular rate was measured in a range between -250 to +250deg./sec. and measured sensitivity was 2.1fF/(deg./sec.).

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）

  電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌） 118 (10), 437-443, 1998

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• 角速度センサ
• 反応性イオンエッチング
• XeF₂ガスエッチング

詳細情報

• CRID: 1390282679438271744
• NII論文ID: 10005323789
• NII書誌ID: AN1052634X
• DOI: 10.1541/ieejsmas.118.437
• ISSN: 13475525
• ISSN: 13418939
• ISSN: http://id.crossref.org/issn/03854213
• NDL書誌ID: 4565945
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4565945
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas1995/118/10/118_10_437/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可