シリコン酸化膜の原子スケール評価とAtomic Layer Depositionによる高誘電体薄膜形成

• 渡部 平司

  NECシリコンシステム研究所

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 21 (9), 597-, 2000-09-10

詳細情報

• CRID: 1573950399100016896
• NII論文ID: 10005348654
• NII書誌ID: AN00334149
• ISSN: 03885321
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles