原子状水素雰囲気下におけるSi(001)表面上Ge薄膜成長のイオン散乱リアルタイムその場計測

• 井上 真一

  大阪大学工学研究科電子工学

• 山崎 宥人

  大阪大学工学研究科電子工学

• 藤野 俊明

  大阪大学工学研究科電子工学

• 片山 光浩

  大阪大学工学研究科電子工学

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学工学研究科電子工学

書誌事項

タイトル別名

• Real Time Monitoring of Ge Thin Film Growth on Si(001) Surface in Atomic Hydrogen Atmosphere using Ion Scattering Sspectroscopy

収録刊行物

• 真空

  真空 44 (3), 385-, 2001-03-20

詳細情報

• CRID: 1573387449401491584
• NII論文ID: 10007389065
• NII書誌ID: AN00119871
• ISSN: 05598516
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles