低速イオン散乱・反跳法による水素終端Si(001)表面上Ge薄膜成長のその場観察

• 奥野 智久

  大阪大学工学研究科電子工学

• 藤野 俊明

  大阪大学工学研究科電子工学

• 片山 光浩

  大阪大学工学研究科電子工学

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学工学研究科電子工学

書誌事項

タイトル別名

• In-situ Observation of Ge Thin-Film Growth on Hydrogen Terminated Si(001) Surface by Low Energy Ion Scattering and Recoiling Spectroscopy

収録刊行物

• 真空

  真空 44 (3), 386-, 2001-03-20

詳細情報

• CRID: 1571698599541227264
• NII論文ID: 10007389068
• NII書誌ID: AN00119871
• ISSN: 05598516
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles