反応性スパッタによるＴｉＯ２ルチル膜の低温成長

• 柴田 明

  福井工業高等専門学校

• 沖村 邦雄

  福井工業高等専門学校

• 松原 覚衛

  山口大学

書誌事項

タイトル別名

• Growth of TiO2 Rutile Films at Low Temperature by Reactive Sputtering.
• ハンノウセイ スパッタ ニ ヨル TiO2 ルチル マク ノ テイオン セイチ

抄録

Rutile (110) rich TiO₂ films were prepared at a low temperature by introducing He gas in reactive sputtering. The optimum gas pressure ratio providing the richest rutile composition to deposited film was He : O₂ : Ar =1 : 0.42 : 2.39 for a total gas pressure of 0.27 Pa. The rutile (110) phase was grown by the reaction between sputtered Ti and active oxygen species O₂⁺, O^*. The former is generated by the penning ionization of oxygen molecules by He^*. The latter is produced from the decomposition process of O₂⁺. This film indicated the greatest crystalline size and the highest refractive index. Furthermore, the film consists of the uniform crystalline sizes of 2030 nm.

収録刊行物

• 真空

  真空 37 (10), 826-832, 1994

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Electrical and Electronic Engineering
• Surfaces, Coatings and Films
• Condensed Matter Physics

詳細情報

• CRID: 1390001204065802112
• NII論文ID: 10007964585
• NII書誌ID: AN00119871
• DOI: 10.3131/jvsj.37.826
• ISSN: 18809413
• ISSN: 05598516
• NDL書誌ID: 3907684
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3907684
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可