水素終端Si表面におけるGe成長の理論  [in Japanese] Theoretical Investigation of Ge Growth on H-terminated Si Surface  [in Japanese]

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Author(s)

    • 奈良 純 NARA Jun
    • 物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
    • 大野 隆央 OHNO Takahisa
    • 物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

Journal

  • Journal of the Surface Science Society of Japan

    Journal of the Surface Science Society of Japan 23(2), 81-87, 2002-02-10

    日本表面科学会

References:  20

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10008008296
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN00334149
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    REV
  • ISSN
    03885321
  • NDL Article ID
    6066173
  • NDL Source Classification
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL Call No.
    Z15-379
  • Data Source
    CJP  NDL 
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