新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション Simulation of Thermal Silicon Oxidation Based on a New Physical Model

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan

    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 23(2), 104-110, 2002-02-10

    日本表面科学会

参考文献:  30件中 1-30件 を表示

  • <no title>

    DEAL B. E.

    J. Appl. Phys. 36, 3770, 1965

    被引用文献46件

  • <no title>

    KAGESHIMA H.

    Phys.Rev.Lett. 81, 5936, 1998

    被引用文献25件

  • <no title>

    KAGESHIMA H.

    J. Appl. Phys. 38, L971, 1999

    被引用文献1件

  • <no title>

    影島博之

    表面科学 21, 361, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    DUNHAM S. T.

    J.Appl.Phys. 59, 2541, 1986

    被引用文献8件

  • <no title>

    STONEHAM A. M.

    Phil. Mag. B55, 201, 1987

    被引用文献2件

  • <no title>

    TANIGUCHI K.

    J.Appl.Phys. 65, 2723, 1989

    被引用文献9件

  • <no title>

    UEMATSU M.

    Jpn.J.Appl.Phys. 39, L699, 2000

    被引用文献40件

  • <no title>

    JUNGLING W.

    IEEE Trans. ED32, 156, 1985

    被引用文献1件

  • <no title>

    MASSOUD H. Z.

    J.Electrochem.Soc. 132, 1745, 1985

    被引用文献7件

  • <no title>

    MASSOUD H. Z.

    J.Electrochem.Soc. 132, 2685, 1985

    被引用文献10件

  • <no title>

    AGARWAL A. M.

    J.Appl.Phys. 78, 5313, 1995

    被引用文献5件

  • <no title>

    CELLER G. K.

    Appl.Phys.Lett. 54, 1427, 1989

    被引用文献8件

  • <no title>

    LIE L. N.

    J.Electrochem.Soc. 129, 2828, 1982

    被引用文献5件

  • <no title>

    HESS D. W.

    J.Electrochem.Soc. 124, 735, 1977

    被引用文献6件

  • <no title>

    MASSOUD H. Z.

    Ph. D. thesis, Stanford University, 1983

    被引用文献1件

  • <no title>

    HO C. P.

    J.Electrochem.Soc. 125, 665, 1978

    被引用文献6件

  • <no title>

    EERNISSE E. P.

    Appl. Phys. Lett. 30, 290, 1977

    被引用文献10件

  • <no title>

    UEMATSU M.

    Jpn.J.Appl.Phys. 39, L699, 2000

    被引用文献40件

  • <no title>

    UEMATSU M.

    Jpn.J.Appl.Phys. 39, L699, 2000

    被引用文献40件

  • <no title>

    HU S. M.

    Appl.Phys.Lett. 27, 165, 1975

    被引用文献5件

  • <no title>

    LIN A. M.

    J. Electrochem. Soc. 128, 1121, 1987

    被引用文献1件

  • <no title>

    LIGENZA J. R.

    J.Phys.Chem. 65, 2011, 1961

    被引用文献3件

  • <no title>

    DEAL B. E.

    J. Electrochem. Soc. 125, 576, 1978

    被引用文献3件

  • <no title>

    RAZOUK R. R.

    J.Electrochem.Soc. 128, 2214, 1981

    被引用文献2件

  • <no title>

    UEMATSU M.

    J. Appl. Phys. 89, 1948, 2001

    被引用文献9件

  • <no title>

    SHIRAISHI K.

    Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1263, 2000

    被引用文献6件

  • <no title>

    TAKAKUWA Y.

    Appl. Surf. Sci. 117-118, 141, 1997

    DOI 被引用文献26件

  • <no title>

    BRACHT H.

    Phys. Rev. B 52, 16542, 1995

    DOI 被引用文献12件

  • <no title>

    EVITTS H. C.

    J. Electrochem. Soc. 111, 688, 1964

    DOI 被引用文献1件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

  • 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価

    服部 真季 , 小瀬村 大亮 , 武井 宗久 , 永田 晃基 , 赤松 弘彬 , 富田 基裕 , 水上 雄輝 , 橋口 裕樹 , 山口 拓也 , 小椋 厚志 , 諏訪 智之 , 寺本 章伸 , 服部 健雄 , 大見 忠弘 , 小金澤 智之 , 廣沢 一郎

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(241), 71-75, 2010-10-14

    参考文献19件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008008355
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    6066192
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
ページトップへ