フラックス法によるGaN単結晶の育成 GaN single crystal growth by the flux method

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著者

    • 青木 真登 AOKI Masato
    • 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
    • 皿山 正二 SARAYAMA Seiji
    • (株)リコー研究開発本部中央研究所第一材料・デバイス研究センター Materials and Devices R & D, Department 1, R & D Center, Research and Development Group, Ricoh Company Ltd.

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 71(5), 548-552, 2002-05-10

    応用物理学会

参考文献:  24件中 1-24件 を表示

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    DOI 被引用文献27件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008200991
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    6127744
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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