臭素によるＳｉ（１１１）表面のエッチング過程の高感度測定

DOI Web Site 参考文献9件
  • 中島 俊信
    横浜国立大学工学部知能物理工学科 理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
  • 首藤 健一
    横浜国立大学工学部知能物理工学科 理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
  • 白尾 徹郎
    横浜国立大学工学部知能物理工学科 理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
  • 田中 義人
    理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
  • 石川 哲也
    理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
  • 田中 正俊
    横浜国立大学工学部知能物理工学科

書誌事項

タイトル別名
  • Measurement of the Etching Process of Br/Si(111) by Means of the High Sensitive Mass Spectroscopy.
  • シュウソ ニ ヨル Si 111 ヒョウメン ノ エッチング カテイ ノ コウカンド ソクテイ

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抄録

We constructed the very sensitive pulsecount-detector system to study the desorption from semiconductor surface in the ultra-high vacuum. We show the results of thermal desorption from Br/Si (111). According to thermal desorption spectroscopy, three peaks are identified in the SiBr2 (187.8 amu) spectra. From the time-course of the isothermal desorption yield as a function of time, the peak at 950 K is turned out to be of the 2nd order, and from its tempereture dependence it exhibits 2.2 eV of the potential barrier. The barriers of the peaks at 800 K and at 600 K are 0.3 ± 0.1 eV and 0.5 ± 0.1 eV, respectively.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45 (3), 192-195, 2002

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献 (9)*注記

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