メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜 Amorphous SiCS:H:F Films Prepared by Magnetron Sputtering of Si in CH_4 and SF_6

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

Amorphous SiCS : H : F films have been deposited by a reactive rf magnetron sputtering of Si target in Ar-CH<SUB>4</SUB> and SF<SUB>6</SUB> gas mixtures. The effects of SF<SUB>6</SUB> partial pressure ratio <I>R</I> on the electrical and optical properties of the films were investigated.<BR>With increasing <I>R</I>, sulfur-related bonding configuration can be observed. The photoconductivity shows a maximum below <I>R</I>= 20%, whereas the optical bandgap almost unchanges and the dark conductivity increases slightly. These data imply that S atoms may relax the disordered structure as well as acting as dopants in this range of<I>R</I>.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45(3), 227-230, 2002-03-20

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献:  19件中 1-19件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008203011
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6144530
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ