レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用 Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 30-nm-Band High-Intensity UV-LEDs

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • レーザー研究

    レーザー研究 30(6), 308-314, 2002-06-15

    レ-ザ-学会

参考文献:  20件中 1-20件 を表示

  • <no title>

    天野浩

    応用物理 68, 768, 1999

    被引用文献10件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568, 1997

    被引用文献75件

  • <no title>

    GOTO S.

    28^<th> International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2001), TuA-4, 2001

    被引用文献2件

  • <no title>

    HIRAYAMA H.

    The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICOMVPE-X'2000), Fr-A8, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    HIRAYAMA H.

    GaN and Related Alloys, Mater. Res. Soc. 639, G28, 2001

    被引用文献2件

  • <no title>

    HIRAYAMA H.

    GaN and Related Alloys, Mater. Res. Soc. 639, G28, 2001

    被引用文献2件

  • <no title>

    奥山浩之

    応用物理 65, 687, 1996

    被引用文献8件

  • <no title>

    堀内賢治

    応用物理 70, 1317, 2001

    被引用文献2件

  • <no title>

    KINOSHITA A.

    Appl. Phys. Lett. 77, 175, 2000

    被引用文献9件

  • <no title>

    NISHIDA T.

    Appl. Phys. Lett. 78, 3927, 2001

    被引用文献17件

  • <no title>

    NAGAHAMA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 40, L3075, 2001

    被引用文献24件

  • <no title>

    NAGAHAMA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 40, L3075, 2001

    被引用文献24件

  • <no title>

    KHAN A.

    28^<th> International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2001), ThM-8, 2001

    被引用文献1件

  • <no title>

    HAN J.

    Appl.Phys.Lett. 73, 1688, 1998

    被引用文献8件

  • 特集'注目の光材料と素子への応用'

    平山秀樹

    オプトロニクス 10, 145-151, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    HIRAYAMA H.

    Physica Status Solidi A 180, 157, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    NARUKAWA Y.

    Appl. Phys. Lett. 70, 891, 1997

    被引用文献4件

  • <no title>

    CHICHIBU S.

    Appl.Phys.Lett. 70, 2822, 1997

    被引用文献20件

  • <no title>

    IWAI S.

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN'2000), TA4-5, 2000

    被引用文献2件

  • High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Tadatomo Kazyuki , Okagawa Hiroaki , Ohuchi Youichiro , Tsunekawa Takashi , Imada Yoshiyuki , Kato Munehiro , Taguchi Tsunemasa

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 40(6B), L583-L585, 2001-06-15

    応用物理学会 参考文献18件 被引用文献31件

被引用文献:  2件中 1-2件 を表示

  • InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化

    平山 秀樹 , 秋田 勝史 , 京野 孝史 , 中村 孝夫 , 青柳 克信

    レーザー研究 32(6), 402-409, 2004-06-15

    参考文献16件 被引用文献3件

  • 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展

    平山 秀樹 , 谷田部 透 , 野口 憲道 , 鎌田 憲彦

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 748-756, 2008-05-01

    J-STAGE 参考文献16件 被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008807982
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    6187734
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
ページトップへ