レーザー材料として見た半導体--(In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用

• 平山 秀樹

• 青柳 克信

Bibliographic Information

Other Title

• レーザー ザイリョウ ト シテ ミタ ハンドウタイ In AlGaN チッカブツコンショウ ノ ケッショウ セイチョウ ト 300nmタイ シガイ コウキド LED エ ノ オウヨウ
• レーザー用先端光学材料の開発 特集号
• レーザーヨウ センタン コウガク ザイリョウ ノ カイハツ トクシュウゴウ

Journal

• レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 / レーザー学会 編

  レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 / レーザー学会 編 30 (6), 308-314, 2002-06

  吹田 : レーザー学会

Keywords

• Quaternary InAlGaN
• Quantum well
• MOCVD
• UV-LEDs
• UV-LDs

Details

• CRID: 1520853833447988992
• NII Article ID: 10008807982
• NII Book ID: AN00255326
• ISSN: 03870200
• NDL BIB ID: 6187734
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6187734
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles